翻车神图镇楼
不出意外的话这应该是我在AMD 5000系列的最后一篇帖子了，如果能如愿收到5700G可能会再更一篇APU的。这一代的AMD确实性能强悍，尤其是单核性能。虽然目前还是会有一些小问题，但我觉得并不影响它的强悍
一、抄内存作业前的准备工作【非常重要，请耐心，认真看完】
AMD3000系列和5000系列超频步骤一样：
请先确定FCLK，再超内存，最后超CPU
请先确定FCLK，再超内存，最后超CPU
请先确定FCLK，再超内存，最后超CPU
我身边很多大神都在不稳的FCLK上裁过跟头！！！！！！！！
说到内存，就不得不提FCLK。从ZEN2 AMD 3000 系列开始，在AMD平台上想要玩好内存就必须要了解FCLK相关的知识，对FCLK还不是很了解的小伙伴可以去看看我之前关于FCLK的帖子。简单的说从ZEN2开始AMD平台的内存频率和FCLK要跑1:1同步模式才能获得最大的效能，比如FCLK1900mhz,内存跑3800mhz。
所以想要愉快的超内存就一定要确定好FCLK的稳定性，很多小伙伴超完内存后，MT或者TM5高压可以过，但是日常用经常的蓝屏，重启，死机。除去whea18号错误，出现这种现象的罪魁祸首大概率是由于FCLK不稳。
（以下内容仅针对AMD 5000系列台式桌面系列，非APU，非服务器，非笔记本)
二、怎么来验证FCLK是否稳定呢？
首先进入系统后耳机和音响无破音，能过内存高压测试（MT或TM5高压），在这个基础上保持CPU相关参数在主板BIOS默认状态下的跑CPUZ的性能测试，可以多跑几次取平均值，看看CPUZ的单核和多核分数是否达到正常的标准，如果分数不正常那么极大可能也是FCLK不稳导致的，如果前面这些都过了，那么最后你跑一下5-10分钟的R20再看看会不会出现死机蓝屏以及R20的分数是否正常，如果默认状态下的CPU设置过不了R20 5-10分钟或者分数差异较大，那么很大程度上也是FCLK的问题
三、FCLK不稳之后怎么办？
和FCLK相关的关键电压有5个，soc，vddgccd，vddgiod，vddp，1p8（pll），你可以尝试调节这5个电压来找到让你现有FCLK稳定的值，当然也不是所有FCLK都能通过调电压稳的住，如果调完上述电压FCLK不稳，除了调节这5个电压外也可以通过降低FCLK来获得FCLK的稳定性。目前以我的粗浅的经验来看，基本上能通过以上的电压调稳你能开的最高进系统的FCLK值-33mhz，比如你能FCLK2200进系统，理论上就能稳住2166的FCLK
四、FCLK很稳，Fclk和内存参数的设置也没问题但是内存效能偏低怎么办？
还是soc，vddgccd，vddgiod，vddp，1p8（pll）这五个电压的调节，一般通过SOC和VDDGCCD就能够找到内存效能最佳的点。具体的操作就是调完电压后去跑aida64的延迟，有兴趣的小伙伴可以去B站观看林大的【板廠沒有說的秘密~"密技"快速抓出讓你又愛又恨的SOC電壓!!!】这期视频，视频链接我就不发了以免被系统删贴。
ASUS和MSI都有在操作系统内调节这几个关键电压的软件，ASUS主板用TurboV_Core，MSI主板用MSI Dragon Power
链接: https://pan.baidu.com/s/1k7bG44wt74hJULQ0aDCe9Q 提取码: ifx1
五、如何科学的抄作业？
作业超的好，效能没烦恼！在我AMD5000系列CPU超频下篇里我已经写过如何抄作业的步骤，这里再重复一下。
第一步，在FCLK稳定的前提下，通过新版台风软件去查看你内存的颗粒，并找到网上的各类和你同颗粒且通过TM5或者MT高压测试的作业，这里注意有些时候台风软件的识别并不准确，所以就要通过在网上找资料或者拆马甲的方式来确定你手里内存准确的颗粒信息。（所谓的内存作业无需BIOS里内存参数的设置图，有zentiming的截图就行，等熟悉了内存超频以后有aida64的主时序图就够了）
tips：有些同型号内存颗粒间可能存在较大差异，找作业的时候尽量把上限和下限的作业都找到，比如三星 5wb bcpb强的强死，捞的捞死
第二步，把zentiming的作业图保存在手机里，进入主板BIOS内存设置栏目内先把下图①号标记的参数和内存电压填到BIOS里，关掉Tsme和powerdownmode（非常重要）其他没提到的内存参数保持自动，然后在BIOS里存个档，保存退出后进系统跑TM5高压或者MT内存测试，这里推荐用TM5高压速测版本-TM5 1USMUS V3版。通过后进入第三步，如果这里报错，提高0.025V电压，把TRCDRD数字+1然后再测TM5高压，如果还报错那么继续在内存安全电压范围内扩大电压，并提高TCL和TRCDRD的数字，并保持TRAS=TCL+TRCDRD+2,TRC=TRAS+TRCD。
如果还稳不住，大兄弟，你可能找了一篇假作业
TM5合集 链接: https://pan.baidu.com/s/1GrcvyL_bfPucvtYbdOj3eg 提取码: 8vxb
第三步，把②号位置的参数填到BIOS内存设置相应的栏目中，这里面trfc的数值和内存效能尤其是延迟有很大的关系，twr和内存的读写有一定的关系，tfaw和内存跑测试时间有很大的关系。这里主要压的参数是trfc，twr和trrds，trrdl，tfaw（这三个是一组联动参数），其他参数放自动就行。调完记得存档，然后进系统高压TM5伺候，如果这时报错，那么把②号位参数全部auto，只抄trfc，再跑高压TM5，如果继续报错就以10为一档提高trfc的值，加到过测为止。②号位最重要的就是trfc的值，其他放自动也没啥太大的影响
第四步，把③号位trdrdscl和twrwrscl的参数填入bios，tcwl和trtp放自动。存档后跑TM5，如果不过就把这两个scl参数分别+1再跑TM5，过测后可以尝试把TRTP压到TWR的一半，比如TWR是12，我就把TRTP压到6，这样的效能会稍好一些。这里最重要的参数是两个SCL，最后跑TM5 ex版做个最终测试。通过的话，恭喜你作业抄袭成功。大部分的同学内存作业到这里就可以了，想再强那么一些的小伙伴继续往下看。
第五步，把④号位全部参数填入bios，把GDM关闭，CMD(CR)开2T或者1T，跑TM5高压，报错的话就在安全电压范围内提高0.025V的内存电压，再测TM5高压。如果不稳当前的CMD（CR）值那就降一档，比如2T怎么都不稳，那么就你索性退回原来跑稳的GDM1T用。
关于怎么抄作业的详细教程就是这么多了，由于这篇文章主要还是帮大家更好的抄作业，一些原理不会涉及到，对于DDR4内存想要有更深了解的小伙伴可以去看看我之前的帖子，尤其是3000系列超频指北那篇。
六、高频日常真1T作业分享
正准备开始超内存，在各颗粒间摇摆的小伙伴，可以通过以下的作业，找到自己心中的最适合自己的那一款“神条”
本篇作业都是日常用作业，对极致效能有要求的小伙伴可以在帖子下方留言讨论或者秀出你的极致成绩
本篇没有涉及到的颗粒也希望各位热心的小伙伴可以
三星 Bdie 4333 作业
有预算，喜欢玩内存，那么当下特挑三星B仍是你最好的选择。各类参数给电就能压，建议1.6V以内日常用
南亚 新Adie 4266 作业
TM5显示有一个不知道什么的错误，但是结束弹框又显示的无措
隐藏的平民法拉利，比bdie弱一些，但是性价比不错，高频下TRFC参数也有不错的表现，加到1.5V可以把TCL压进16，但温度有点高，建议1.45V左右日常用
海力士CJR-VKC 4266作业，有一个错误，估计是tfaw得+2或者是温度，我手里这对CJR有点妖，TWAF压不下去，而且很容报错，但是TRCD还可以，跑4066可以压到20，trfc也还过得去，建议1.45V左右日常用
镁光c9blm 4266作业，镁光Edie里比较好的颗粒，在tcl，trcd两个参数优于c9bjz和c9bkv。比较吃压，发热比c9bjz要低一些。推荐1.55V左右日常用
希望大家多多分享作业，让更多需要的小伙伴都能在这里获得超频的快乐和内存效能的巨大提升
不出意外的话这应该是我在AMD 5000系列的最后一篇帖子了，如果能如愿收到5700G可能会再更一篇APU的。这一代的AMD确实性能强悍，尤其是单核性能。虽然目前还是会有一些小问题，但我觉得并不影响它的强悍
一、抄内存作业前的准备工作【非常重要，请耐心，认真看完】
AMD3000系列和5000系列超频步骤一样：
请先确定FCLK，再超内存，最后超CPU
请先确定FCLK，再超内存，最后超CPU
请先确定FCLK，再超内存，最后超CPU
我身边很多大神都在不稳的FCLK上裁过跟头！！！！！！！！
说到内存，就不得不提FCLK。从ZEN2 AMD 3000 系列开始，在AMD平台上想要玩好内存就必须要了解FCLK相关的知识，对FCLK还不是很了解的小伙伴可以去看看我之前关于FCLK的帖子。简单的说从ZEN2开始AMD平台的内存频率和FCLK要跑1:1同步模式才能获得最大的效能，比如FCLK1900mhz,内存跑3800mhz。
所以想要愉快的超内存就一定要确定好FCLK的稳定性，很多小伙伴超完内存后，MT或者TM5高压可以过，但是日常用经常的蓝屏，重启，死机。除去whea18号错误，出现这种现象的罪魁祸首大概率是由于FCLK不稳。
（以下内容仅针对AMD 5000系列台式桌面系列，非APU，非服务器，非笔记本)
二、怎么来验证FCLK是否稳定呢？
首先进入系统后耳机和音响无破音，能过内存高压测试（MT或TM5高压），在这个基础上保持CPU相关参数在主板BIOS默认状态下的跑CPUZ的性能测试，可以多跑几次取平均值，看看CPUZ的单核和多核分数是否达到正常的标准，如果分数不正常那么极大可能也是FCLK不稳导致的，如果前面这些都过了，那么最后你跑一下5-10分钟的R20再看看会不会出现死机蓝屏以及R20的分数是否正常，如果默认状态下的CPU设置过不了R20 5-10分钟或者分数差异较大，那么很大程度上也是FCLK的问题
三、FCLK不稳之后怎么办？
和FCLK相关的关键电压有5个，soc，vddgccd，vddgiod，vddp，1p8（pll），你可以尝试调节这5个电压来找到让你现有FCLK稳定的值，当然也不是所有FCLK都能通过调电压稳的住，如果调完上述电压FCLK不稳，除了调节这5个电压外也可以通过降低FCLK来获得FCLK的稳定性。目前以我的粗浅的经验来看，基本上能通过以上的电压调稳你能开的最高进系统的FCLK值-33mhz，比如你能FCLK2200进系统，理论上就能稳住2166的FCLK
四、FCLK很稳，Fclk和内存参数的设置也没问题但是内存效能偏低怎么办？
还是soc，vddgccd，vddgiod，vddp，1p8（pll）这五个电压的调节，一般通过SOC和VDDGCCD就能够找到内存效能最佳的点。具体的操作就是调完电压后去跑aida64的延迟，有兴趣的小伙伴可以去B站观看林大的【板廠沒有說的秘密~"密技"快速抓出讓你又愛又恨的SOC電壓!!!】这期视频，视频链接我就不发了以免被系统删贴。
ASUS和MSI都有在操作系统内调节这几个关键电压的软件，ASUS主板用TurboV_Core，MSI主板用MSI Dragon Power
链接: https://pan.baidu.com/s/1k7bG44wt74hJULQ0aDCe9Q 提取码: ifx1
五、如何科学的抄作业？
作业超的好，效能没烦恼！在我AMD5000系列CPU超频下篇里我已经写过如何抄作业的步骤，这里再重复一下。
第一步，在FCLK稳定的前提下，通过新版台风软件去查看你内存的颗粒，并找到网上的各类和你同颗粒且通过TM5或者MT高压测试的作业，这里注意有些时候台风软件的识别并不准确，所以就要通过在网上找资料或者拆马甲的方式来确定你手里内存准确的颗粒信息。（所谓的内存作业无需BIOS里内存参数的设置图，有zentiming的截图就行，等熟悉了内存超频以后有aida64的主时序图就够了）
tips：有些同型号内存颗粒间可能存在较大差异，找作业的时候尽量把上限和下限的作业都找到，比如三星 5wb bcpb强的强死，捞的捞死
第二步，把zentiming的作业图保存在手机里，进入主板BIOS内存设置栏目内先把下图①号标记的参数和内存电压填到BIOS里，关掉Tsme和powerdownmode（非常重要）其他没提到的内存参数保持自动，然后在BIOS里存个档，保存退出后进系统跑TM5高压或者MT内存测试，这里推荐用TM5高压速测版本-TM5 1USMUS V3版。通过后进入第三步，如果这里报错，提高0.025V电压，把TRCDRD数字+1然后再测TM5高压，如果还报错那么继续在内存安全电压范围内扩大电压，并提高TCL和TRCDRD的数字，并保持TRAS=TCL+TRCDRD+2,TRC=TRAS+TRCD。
如果还稳不住，大兄弟，你可能找了一篇假作业
TM5合集 链接: https://pan.baidu.com/s/1GrcvyL_bfPucvtYbdOj3eg 提取码: 8vxb
第三步，把②号位置的参数填到BIOS内存设置相应的栏目中，这里面trfc的数值和内存效能尤其是延迟有很大的关系，twr和内存的读写有一定的关系，tfaw和内存跑测试时间有很大的关系。这里主要压的参数是trfc，twr和trrds，trrdl，tfaw（这三个是一组联动参数），其他参数放自动就行。调完记得存档，然后进系统高压TM5伺候，如果这时报错，那么把②号位参数全部auto，只抄trfc，再跑高压TM5，如果继续报错就以10为一档提高trfc的值，加到过测为止。②号位最重要的就是trfc的值，其他放自动也没啥太大的影响
第四步，把③号位trdrdscl和twrwrscl的参数填入bios，tcwl和trtp放自动。存档后跑TM5，如果不过就把这两个scl参数分别+1再跑TM5，过测后可以尝试把TRTP压到TWR的一半，比如TWR是12，我就把TRTP压到6，这样的效能会稍好一些。这里最重要的参数是两个SCL，最后跑TM5 ex版做个最终测试。通过的话，恭喜你作业抄袭成功。大部分的同学内存作业到这里就可以了，想再强那么一些的小伙伴继续往下看。
第五步，把④号位全部参数填入bios，把GDM关闭，CMD(CR)开2T或者1T，跑TM5高压，报错的话就在安全电压范围内提高0.025V的内存电压，再测TM5高压。如果不稳当前的CMD（CR）值那就降一档，比如2T怎么都不稳，那么就你索性退回原来跑稳的GDM1T用。
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六、高频日常真1T作业分享
正准备开始超内存，在各颗粒间摇摆的小伙伴，可以通过以下的作业，找到自己心中的最适合自己的那一款“神条”
本篇作业都是日常用作业，对极致效能有要求的小伙伴可以在帖子下方留言讨论或者秀出你的极致成绩
本篇没有涉及到的颗粒也希望各位热心的小伙伴可以
三星 Bdie 4333 作业
有预算，喜欢玩内存，那么当下特挑三星B仍是你最好的选择。各类参数给电就能压，建议1.6V以内日常用
南亚 新Adie 4266 作业
TM5显示有一个不知道什么的错误，但是结束弹框又显示的无措
隐藏的平民法拉利，比bdie弱一些，但是性价比不错，高频下TRFC参数也有不错的表现，加到1.5V可以把TCL压进16，但温度有点高，建议1.45V左右日常用
海力士CJR-VKC 4266作业，有一个错误，估计是tfaw得+2或者是温度，我手里这对CJR有点妖，TWAF压不下去，而且很容报错，但是TRCD还可以，跑4066可以压到20，trfc也还过得去，建议1.45V左右日常用
镁光c9blm 4266作业，镁光Edie里比较好的颗粒，在tcl，trcd两个参数优于c9bjz和c9bkv。比较吃压，发热比c9bjz要低一些。推荐1.55V左右日常用
希望大家多多分享作业，让更多需要的小伙伴都能在这里获得超频的快乐和内存效能的巨大提升
，有没有参数松一点的 
墨迹
