CXBD3570是一款专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)而设计的单通道高速低侧栅极驱动器.该器件能够为电容负载提供高强度的峰值拉/灌电流脉冲,并具备轨到轨驱动能力,确保快速且稳定的开关操作.CXBD3570的宽电源电压范围(4V～20V)和低静态功耗使其在各种电源管理应用中表现出色.其双输入设计(可选择反相IN-或正相IN+驱动器配置)提供了灵活的应用选择.在VDD =12V时,CXBD3570能够提供峰值4A的对称驱动电流,确保高效驱动.器件采用SOT23-5封装,适合空间受限的应用场景

CXBD3570单通道高速低侧栅极驱动器:高效,低成本的MOSFET和IGBT驱动解决方案

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